[CZ] Na zadanych souradnicich cache nehledejte!
Sidli zde firma, ktera vyviji pameti do integrovanych obvodu. I ja
zde pracuji. ;-) Cache je na verejne pristupnem miste nedaleko.
S integrovanymi obvody (cipy) se jiste uz setkal kazdy z vas,
nase okoli je jimi doslova precpano. V hodinkach, casto i
rucickovych, ktere mate na ruce. V pocitacich i navigacich, ktere
pouzivate k lovu. V autech, televizich i treba v modernim sporaku.
Dnes uz prakticky ve vsem, co je na elektriku. Vetsinou je to
miniaturni kremikova desticka zalita do cerneho plastu se spoustou
malickych kovovych nozicek, ktera v sobe na jedinem ctverecnim
milimetru muze skryvat miliony tranzistoru pripadne i dalsich
mikroelektronickych soucastek.
Pokrok a naroky na slozitejsi funkce a vyssi rychlosti si zada
integraci stale vyssiho poctu tranzistoru na stale mensi a mensi
plochu. Soucasne, zpravidla CMOS, technologie pracuji s velikostmi
tranzistoru radove v desitkach nanometru. To prinasi nova uskali
pro vyvoj a vyrobu takovych obvodu.
Tranzistory jsou tak male, ze dochazi k preskoku elektronu i
skrze hradlo, vysoke jen nekolik molekul SiO2, kde by zadny proud
tect nemel. Kovove spoje na cipu jsou tak tenke, ze je jejich odpor
i na kratkou vzdalenost nezanedbatelny, a jsou tak blizko sebe, ze
skokova zmena napeti na jednom ovlivnuje napeti na tech sousednich
diky nezanedbatelne kapacite. Atd.
Take vyroba je stale obtiznejsi a klade stale vyssi naroky na
presnost vyroby a na cistotu prostredi. Jedina bakterie nebo
prachova castice usazena pri vyrobe na cipu dokaze vyzkratovat
nekolik spoju a znicit obvod. Priprava pracovnika na vstup do takto
cisteho prostoru je narocna jako priprava kosmonauta na vystup do
vesmiru.
Takto vypada v elektronovem mikroskopu bocni rez tranzistorem v
technologii CMOS 90 nm. Hradlo je vysoke jen 5 molekul
SiO2.
Ted k vypoctu souradnic samotne cache:
Tranzistorovy jev byl objeven a prvni tranzistor vyroben v roce
A. Za to dostalo trio vynalezcu Nobelovu cenu za fyziku v
roce B.
Prvni integrovany obvod vyrobil Jack Kilby v roce C.
Castou jednotkou delky pouzivanou v mikroelektronice je Angström.
Jeden metr vyjadreny Angströmech by dal cislo s D
nulami.
CMOS
invertor obsahuje E tranzistoru, z toho F
NMOS.
V okoli skryse se pohybuje relativne dost aut a lidi, chovejte
se prosim nenapadne a logujte opodal. Zapamatujte si presne
umisteni cache a vracejte ji prosim na stejne
misto. Na centimetr presne! Cache se skryva na
souradnicich N49°8.X' E16°36.Y'
X=[(B-A+D)*(E+F)*D]+(B-A-E)
Y=[(B-A)*(C-B)*D]+E
Cache neobsahuje
tuzku!
[EN] The transistor efect was discovered and the first
transistor was invented in the year A. These three inventors
were honored with the Nobel prize in Physics in the year
B.
The first integrated circuit was invented by Jack Kilby in the
year C.
The unit of length very often used in microelectronics is 1
Angström.
The number of one meter converted to Angströms has D
zeros.
The
CMOS inverter has E transistors in total, F
NMOS.
The cache is hidden at N49°8.X'
E16°36.Y'
X=[(B-A+D)*(E+F)*D]+(B-A-E)
Y=[(B-A)*(C-B)*D]+E
There is no pen in the
cache!
Listing seen since 12-06-2008: 
times.